삼성전자, HBM4 수율 80% 달성…SK하이닉스 추격 가속

AI 생성 이미지

핵심요약

• 삼성전자가 HBM4 핵심 재료인 1c D램 설계 변경을 통해 수율을 80% 수준까지 끌어올렸습니다.
• 2026년 2분기 기준 삼성전자의 HBM 시장 점유율은 33%로, SK하이닉스(50%)와의 격차를 17%포인트로 좁혔습니다.
• 삼성전자는 HBM4 양산 출하를 통해 AI 반도체 시장에서의 입지를 강화하고, 내년 상반기 SK하이닉스 추격에 박차를 가할 전망입니다.

인공지능(AI) 시대의 핵심 부품인 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서 삼성전자가 차세대 HBM4의 생산 수율을 80%까지 끌어올리며 SK하이닉스와의 격차를 맹렬히 좁히고 있습니다. 이는 HBM 시장의 주도권 경쟁이 한층 심화될 것임을 예고하며 업계의 이목을 집중시키고 있습니다.

특히 HBM4는 AI 가속기 성능을 좌우하는 핵심 요소로, 삼성전자의 이번 수율 개선은 향후 AI 반도체 시장 판도에 중대한 영향을 미 미칠 것으로 분석됩니다. 고성능 AI 반도체 수요가 폭발적으로 증가하는 상황에서 안정적인 HBM4 공급 능력 확보는 시장 지배력을 강화하는 데 결정적인 역할을 할 것입니다.

HBM4 수율 80% 달성 배경

삼성전자의 HBM4 수율 80% 달성은 1c D램 설계 변경이 주효했던 것으로 분석됩니다. 삼성전자는 HBM4 코어 다이에 경쟁사보다 한 세대 앞선 1c D램을 적용했으나, 초기 낮은 수율 문제에 직면했습니다. 이에 2024년 말부터 1c D램의 주변회로 공간을 넓히고 칩 크기를 키우는 등 설계를 대폭 수정했습니다.

이는 웨이퍼 한 장에서 최대한 많은 칩을 생산하기보다, HBM 적층까지 살아남는 양품 다이(Die)를 늘리는 방향으로 제조 기준을 전환한 결과입니다. 또한, 커패시터와 극자외선(EUV) 공정을 함께 손질하여 제조 난이도와 원가를 동시에 낮추려는 노력이 더해졌습니다.

글로벌 D램 및 HBM 시장 점유율 현황 (2026년 2분기 매출 기준)

항목	삼성전자	SK하이닉스	마이크론	비고
글로벌 D램 시장 점유율	38%	25%	24%	SK하이닉스와 마이크론의 격차 1%p
글로벌 HBM 시장 점유율	33%	50%	18%	삼성전자, 전 분기 대비 12%p 상승

SK하이닉스와의 격차 17%p로 축소

이번 HBM4 수율 개선은 삼성전자가 HBM 시장에서 SK하이닉스와의 격차를 더욱 빠르게 좁힐 수 있는 발판을 마련했다는 점에서 의미가 큽니다. 2026년 2분기 기준 글로벌 HBM 시장 점유율은 SK하이닉스가 50%로 1위를 유지하고 있지만, 삼성전자는 전 분기 대비 12%포인트 상승한 33%를 기록하며 격차를 17%포인트로 줄였습니다.

삼성전자는 HBM4 양산 출하를 통해 AI 가속기에 필수적인 고성능 메모리 공급을 확대하고 있으며, 이는 데이터센터 및 생성형 AI 시장 성장에 따라 HBM 수요가 급증하는 상황에서 중요한 경쟁 우위로 작용할 것으로 예상됩니다.

전망과 의미

삼성전자의 HBM4 수율 안정화는 고대역폭 메모리 시장의 경쟁 구도에 큰 변화를 가져올 것으로 보입니다. AI 반도체 시장의 폭발적인 성장이 예상되는 가운데, 삼성전자는 HBM4의 높은 판매 가격과 안정적인 공급 능력을 바탕으로 반도체 사업의 수익성을 극대화할 수 있을 것입니다. 전문가들은 2027년까지 HBM 비트 수요가 62% 증가하고, HBM4 제품군의 평균판매가격이 121% 상승할 것으로 전망하고 있어, 삼성전자의 HBM4 경쟁력 확보는 향후 실적 개선에 긍정적인 영향을 미칠 것으로 기대됩니다.

궁금한 점

Q. HBM4는 기존 HBM3E와 비교해 어떤 점이 개선되었나요?

A. 삼성전자 HBM4는 JEDEC 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보했습니다. 이는 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치이며, 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭은 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준입니다.

Q. HBM 시장에서 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM4 생산 전략에 차이가 있나요?

A. 삼성전자는 자체 1c D램과 4나노 파운드리 공정으로 만든 로직 베이스 다이를 결합하는 수직계열화 방식을 택했습니다. 반면 SK하이닉스는 HBM 제조 기술에 TSMC의 첨단 로직 공정을 결합하는 전략을 추진하고 있어, 양사는 서로 다른 방식으로 HBM4 경쟁력을 높이고 있습니다.

※ 이 글은 월드뉴스데일리의 기사입니다.