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中 창신메모리, 차세대 D램 연내 출시 예고…삼성전자도 개발 중

월드뉴스데일리 편집부 입력 10월 15, 2026

中 창신메모리, 차세대 D램 연내 출시 예고…삼성전자도 개발 중

AI 생성 이미지

핵심요약
  • 중국 창신메모리(CXMT)가 연내 차세대 D램 '4F²' 기술을 적용한 서버용 메모리 제품 출시를 예고했습니다.
  • 삼성전자 송재혁 CTO는 10월 14일 해당 기술을 개발 중임을 인정하며, 국내 반도체 기업들도 차세대 기술 경쟁에 나서고 있습니다.
  • CXMT의 발표는 삼성전자와 SK하이닉스 주가에 영향을 미치며, 10월 13일 각각 7.39%, 10.09% 하락을 기록했습니다.

중국 최대 메모리 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 D램 기술을 적용한 서버용 메모리 제품을 연내 출시하겠다고 밝히면서 글로벌 반도체 시장에 긴장감이 고조되고 있습니다. 인공지능(AI) 인프라 확대로 D램 수요가 급증하는 가운데, 중국의 기술 추격이 예상보다 빨라지면서 국내 반도체 기업들의 대응 전략에 관심이 쏠리고 있습니다.

특히 이번 발표는 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업들의 주가에도 즉각적인 영향을 미 미쳤으며, 국내외 시장에서 중국 반도체의 경쟁력 강화에 대한 우려가 확산하고 있습니다.

中 창신메모리, '4F²' D램 연내 출시 예고

중국 창신메모리(CXMT)는 최근 차세대 D램 구조인 '4F²(포에프스퀘어)' 기술을 적용한 서버용 메모리 제품을 연내 출시할 계획이라고 발표했습니다. 이 기술은 데이터를 저장하는 기본 단위인 셀 면적을 기존 '6F²'보다 줄여, 같은 공간에 더 많은 데이터를 담을 수 있도록 설계된 것이 특징입니다. 이는 트랜지스터를 수직으로 배치하여 메모리 용량을 늘리는 방식으로, 기존 대비 33% 향상된 집적도와 전력 효율을 목표로 하고 있습니다.

CXMT는 독자 개발한 수직형 서라운딩 게이트(VSG) 트랜지스터로 D램 성능을 높일 수 있다고 설명하며, 기존 반도체 제조 공정의 핵심 단계도 재설계했다고 밝혀 양산 단계가 임박했음을 시사했습니다. 이러한 중국의 기술 발전은 글로벌 D램 시장의 경쟁 구도에 큰 변화를 가져올 것으로 전망됩니다.

주요 반도체 기업 주가 변동 및 CXMT D램 관련 정보
항목수치비고
삼성전자 주가 하락률 (10/13)7.39%CXMT 발표 이후
SK하이닉스 주가 하락률 (10/13)10.09%CXMT 발표 이후
CXMT 세계 D램 시장 점유율 (2022년)1.8%옴디아 자료 기준
CXMT 세계 D램 시장 점유율 (2026년 2분기)9.4%옴디아 자료 기준

국내 반도체 업계, 차세대 기술 개발 박차

중국 CXMT의 차세대 D램 출시 예고에 국내 반도체 업계도 촉각을 곤두세우고 있습니다. 삼성전자 송재혁 최고기술책임자(CTO) 사장은 10월 14일 '제28회 반도체대전'(SEDEX 2026)에서 '4F²' 기술 개발 여부에 대한 질문에 "그렇다"고 답하며 삼성전자 역시 해당 기술을 개발 중임을 공식적으로 인정했습니다.

삼성전자와 SK하이닉스는 이미 일찌감치 '4F²' 기술을 연구해왔지만, 제조 공정 변경에 따른 수율 확보의 어려움과 원가 문제 등으로 양산에는 신중한 태도를 보여왔습니다. 그러나 CXMT의 이번 발표로 인해 차세대 D램 기술 경쟁이 더욱 심화될 것으로 예상되며, 국내 기업들의 기술 개발 및 양산 전략에도 속도가 붙을 것으로 보입니다.

전망과 의미

중국 창신메모리의 차세대 D램 연내 출시 예고는 인공지능(AI) 시대의 핵심 부품인 메모리 반도체 시장에서 중국의 영향력이 확대될 수 있음을 시사합니다. 이는 단기적으로 국내 반도체 기업들의 주가에 부정적인 영향을 미쳤으나, 장기적으로는 기술 혁신을 가속화하는 촉매제가 될 수 있습니다. 국내 기업들은 높은 기술 장벽과 선제적인 연구 개발을 통해 중국과의 기술 격차를 유지하고 시장을 선도하기 위한 노력을 더욱 강화할 것으로 예상됩니다.

궁금한 점

Q. 중국 창신메모리가 발표한 '4F²' D램 기술은 무엇인가요?

A. '4F²'는 D램 셀 면적을 기존보다 줄여 같은 공간에 더 많은 데이터를 저장할 수 있도록 하는 차세대 D램 구조 기술입니다. 트랜지스터를 수직으로 배치하여 메모리 용량을 늘리는 방식입니다.

Q. 중국 창신메모리의 기술 발전이 한국 반도체 기업에 미치는 영향은 무엇인가요?

A. 중국의 기술 추격은 단기적으로 삼성전자와 SK하이닉스 등 한국 반도체 기업들의 주가 하락을 초래할 수 있으나, 장기적으로는 국내 기업들의 기술 혁신과 차세대 D램 개발을 더욱 가속화하는 계기가 될 수 있습니다.

※ 이 글은 월드뉴스데일리의 기사입니다.

본 기사는 공개된 뉴스·보도자료를 바탕으로 정리한 콘텐츠이며, 투자·법률 판단의 근거로 사용될 수 없습니다. 오류 제보 및 정정 요청은 문의 페이지를 이용해 주세요.

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