삼성전자, HBM4 가격 3배 인상 추진…고성능·장기 공급으로 수익성 극대화

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핵심요약

• 삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4의 2027년 공급 가격을 현 주력 제품 대비 3배 이상 높은 1기가비트(Gb)당 4달러대 중후반으로 제시했습니다.
• 회사는 HBM4에 1c D램 및 파운드리 4나노 공정을 적용해 업계 최고 수준인 11.7Gbps의 데이터 전송 속도를 안정적으로 확보하며 기술 경쟁력을 강화했습니다.
• 내년 HBM 공급 물량이 사실상 완판된 가운데, 삼성전자는 D램 생산에서 HBM이 차지하는 비중을 현재 20%대에서 2027년 30% 수준으로 확대할 계획입니다.

인공지능(AI) 시대의 핵심 부품으로 자리매김한 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 삼성전자가 공격적인 가격 전략을 펼치며 수익성 극대화를 꾀하고 있습니다. 차세대 HBM인 HBM4의 공급 가격을 현 주력 제품보다 3배 이상 높게 책정하고 고객사들과 협상에 나선 것으로 알려지며 시장의 이목이 쏠리고 있습니다.

이는 HBM 시장의 경쟁 패러다임이 단순한 물량 확보를 넘어선 고성능 기술력과 안정적인 공급 능력으로 전환되고 있음을 시사합니다. 삼성전자는 HBM4의 뛰어난 성능과 파운드리 공정 기술을 결합한 맞춤형 솔루션을 통해 시장 지배력을 강화하겠다는 전략입니다.

HBM4, 성능 우위로 가격 프리미엄 확보

삼성전자는 HBM4 개발 초기부터 JEDEC(국제 반도체 표준 협의 기구) 기준을 상회하는 성능 목표를 설정하고, 최선단 공정인 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입하여 재설계 없이 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했습니다. 특히 HBM4 베이스 다이에는 자체 파운드리의 4나노 공정을 적용하여 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 조건을 갖췄습니다.

이러한 기술적 우위를 바탕으로 삼성전자 HBM4는 JEDEC 표준인 8Gbps를 약 46% 뛰어넘는 11.7Gbps의 데이터 처리 속도를 안정적으로 구현했으며, 최대 13Gbps까지 확장이 가능합니다. 이는 이전 세대인 HBM3E의 최대 핀 속도 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치로, AI 모델 규모가 커지면서 발생하는 데이터 병목 현상을 효과적으로 해소할 수 있을 것으로 기대됩니다.

삼성전자 HBM 제품 사양 비교

항목	HBM3E	HBM4	비고
데이터 전송 속도 (Gbps)	최대 9.6	11.7 (최대 13)	약 1.22배 향상
1Gb당 가격 (달러)	약 1.5	4달러대 중후반	약 3배 이상 인상
베이스 다이 공정	기존 공정	파운드리 4나노	성능·전력 효율 최적화
D램 생산 비중 (2027년 목표)	-	30%	HBM 생산 확대

전력 효율 및 용량 확장, 고객 맞춤형 솔루션 강화

삼성전자는 HBM4의 전력 효율 개선에도 집중했습니다. TSV(실리콘 관통 전극) 데이터 송수신 저전압 설계 기술과 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했으며, 열 저항 특성은 약 10%, 방열 특성은 약 30% 향상시켰습니다. 이는 데이터센터 환경에 최적화된 최고 수준의 성능과 안정적인 신뢰성을 제공하여, 고객사들이 GPU 연산 성능을 극대화하고 서버 및 데이터센터 단위의 전력 소모와 냉각 비용을 절감하는 데 기여할 것으로 보입니다.

또한, 삼성전자는 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB의 용량을 제공하며, 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용하여 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획입니다. AI 가속기마다 요구하는 속도, 용량, 전력 특성이 달라지는 시장 변화에 맞춰, 삼성전자는 메모리·파운드리·첨단 패키징을 묶은 '원팀' 전략으로 고객 맞춤형 HBM 솔루션을 강화하고 있습니다.

전망과 의미

삼성전자의 HBM4 가격 인상 전략은 AI 인프라 투자 확대로 HBM 수요가 급증하는 반면 공급은 제한적인 상황에서, 고성능 제품의 가격 프리미엄을 높일 수 있는 우호적인 시장 환경을 적극 활용하려는 움직임으로 풀이됩니다. 시장조사업체 트렌드포스는 HBM4 비중 확대와 공급 부족 등의 영향으로 내년 HBM 평균판매가격(ASP)이 올해보다 121% 상승할 것으로 전망했습니다. 이러한 가격 전략은 삼성전자의 내년 HBM 평균 판매 가격(ASP)과 수익성에 긍정적인 영향을 미 미칠 것으로 예상됩니다. 또한, D램 생산에서 HBM이 차지하는 비중을 확대하는 계획은 전체 D램 시장에서 HBM이 핵심 제품군으로 부상하고 있음을 보여줍니다.

궁금한 점

Q. 삼성전자의 HBM4 가격 인상 배경은 무엇인가요?

A. 삼성전자는 HBM4의 뛰어난 데이터 전송 속도와 전력 효율 등 기술적 우위를 바탕으로 가격 경쟁력을 확보했으며, AI 가속기 시장의 빠른 성장에 따른 HBM 수요 증가와 제한적인 공급 상황이 가격 인상에 유리하게 작용했습니다.

Q. HBM4의 높은 가격이 시장에 미치는 영향은 무엇인가요?

A. HBM4의 높은 가격은 삼성전자의 메모리 사업 수익성을 크게 개선할 것으로 예상됩니다. 또한, HBM 시장에서 성능과 품질이 더욱 중요해지는 계기가 되어, 기술력이 뛰어난 업체들이 시장을 주도하게 될 것입니다.

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